化合物半導體 下列何者是在GaN製作p型層時所使用的代表性雜質？ A磷（P） B砷（As） C鎂（Mg） 查看答案與解析 正確答案：C. 鎂（Mg） GaN的p型化使用鎂，但受體能階距價帶約0.2 eV而較深，在室溫下游離的只有數%。因此即使以10¹⁹ cm⁻³以上的高濃度添加，電洞濃度也只有10¹⁷～10¹⁸ cm⁻³左右。此外，剛成長完時鎂與氫鍵結而呈不活化狀態，必須藉由熱處理等使其活化，這項技術的確立促成了高亮度藍光LED的實現。