下列何者是電子遷移率非常大、用於磁感測器（霍爾元件）等的化合物半導體？

正確答案：B. InSb（銻化銦）

InSb在室溫下的電子遷移率約為77,000 cm²/(V·s)，是半導體中最大等級。霍爾元件的靈敏度與遷移率成正比，因此即使是微小的磁場也能得到大輸出，旭化成等公司量產，用於馬達旋轉位置的偵測與電子羅盤。由於能隙僅約0.17 eV，經冷卻後也用於偵測3～5 µm中紅外線的元件。

• A. SiC用於高耐壓的功率元件，但遷移率並不大。
• B. 正確。具有非常大的電子遷移率。
• C. AlN是能隙非常大的材料，與深紫外線的發光等有關。