化合物半導體
關於GaAs等化合物半導體晶圓的一般口徑,下列何者正確?
- A與矽相同,以300 mm為主流
- B比矽更大的450 mm為主流
- C以比矽晶圓小的口徑(約150 mm以下)為主流
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正確答案:C. 以比矽晶圓小的口徑(約150 mm以下)為主流
化合物半導體必須精確維持兩種以上元素的比例,且需要在高壓下成長以免砷或磷蒸發,因此難以製作大而缺陷少的單晶,GaAs一般約為150 mm,InP為100~150 mm。與矽的300 mm相比,一片晶圓可取得的晶片數較少,設備也需專用,因此成本較高。GaN-on-Si與SiC則正朝200 mm化邁進。