化合物半導體

下列何者是矽鍺（SiGe）的正確分類？

  1. AIII-V族化合物半導體
  2. BIV族元素之間的混晶（合金）半導體
  3. CII-VI族化合物半導體
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正確答案：B. IV族元素之間的混晶（合金）半導體

SiGe是將同為IV族的矽與鍺以任意比例混合而成的混晶（合金）半導體。兩者都是鑽石結構，在所有組成下都能互相混合，增加Ge則能隙變小、晶格常數變大。與矽製程的相容性良好，用於HBT的基極、對pMOS的源極、汲極施加壓縮應變的層，以及製作GAA電晶體時的犧牲層等。

  • A. III-V族是由III族與V族元素組成的化合物。
  • B. 正確。是IV族之間的混晶。
  • C. II-VI族是由II族與VI族元素組成的化合物。
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