在 InGaN 系 LED 中,電流增大時發光效率反而下降的現象。一般認為歐傑復合等是其原因。
日文名稱: 効率ドループ
這個名詞所屬的領域: 化合物半導體
二維電子氣(2DEG) 直接能隙 混晶半導體 量子井 維加德定律 寬能隙半導體 纖鋅礦結構 Ga2O3(氧化鎵) GaAs(砷化鎵) GaN(氮化鎵)
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