酸化・拡散

シリコンがMOSデバイスの材料として広く使われてきた大きな理由の一つとして正しいものはどれか。

  1. A直接遷移型で効率よく発光するため
  2. B電子移動度がすべての半導体の中で最も高いため
  3. C熱酸化によって、界面準位の少ない良質な絶縁膜(SiO2)を簡単に形成できるため
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正解：C. 熱酸化によって、界面準位の少ない良質な絶縁膜(SiO2)を簡単に形成できるため

シリコンは熱酸化するだけで、絶縁性が高く、シリコンとの界面の欠陥(界面準位)が少ないSiO2膜を形成できます。この良好なMOS界面が得られることが、シリコンがMOSFETやLSIの材料として広く使われてきた大きな理由の一つです。

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