界面準位とは

かいめんじゅんい

半導体と絶縁膜の界面に、結合の切れた原子などによってできる禁制帯中のエネルギー準位。キャリアを捕まえたり放したりして、しきい値電圧の変動や移動度の低下、雑音の原因になる。

この用語の分野: 酸化・拡散

解説の中の「界面準位」

「界面準位」が出てくる問題(12問)

  1. Si/SiO2界面の界面準位を減らすために行われる、水素を含む雰囲気での熱処理を何と呼ぶか。
  2. シリコン単結晶の結晶構造はどれか。
  3. MOSFETのLDD(Lightly Doped Drain)構造の目的として正しいものはどれか。
  4. イメージセンサの暗電流の説明として正しいものはどれか。
  5. CMOSイメージセンサの埋め込みフォトダイオード(ピンドフォトダイオード)で、表面に高濃度のp+層を設ける主な目的はどれか。
  6. CMOS LSI用のシリコンウエハで一般的に使われる面方位はどれか。
  7. シリコンの熱酸化について、ドライ酸化(O2)とウェット酸化(H2O)の比較として正しいものはどれか。
  8. シリコンがMOSデバイスの材料として広く使われてきた大きな理由の一つとして正しいものはどれか。
  9. MOSキャパシタのC-V(容量-電圧)測定から評価できるものとして正しいものはどれか。
  10. 電極をつくらずに、ウエハの表面にコロナ放電で電荷を載せ、表面電位の変化を測って酸化膜や界面の電気的な特性を評価する方法はどれか。
  11. pMOSトランジスタに負のゲート電圧と高温が加わり続けると、しきい値電圧の絶対値が徐々に増加していく劣化現象はどれか。
  12. ドレイン近くの高電界で加速されたキャリアがゲート絶縁膜に注入され、トランジスタの特性が劣化する現象はどれか。

関連する用語

しきい値電圧 移動度 LDD構造 暗電流 フォトダイオード CMOS 熱酸化 GaAs(ガリウムヒ素) 短チャネル効果 埋め込みフォトダイオード(ピンドフォトダイオード)

用語集の一覧へ