過渡増速拡散(TED)とは
かとぞうそくかくさん
イオン注入後のアニールの初期に、注入で生じた過剰な格子間シリコンのため、ボロンなどの拡散が一時的に速くなる現象。浅い接合をつくる妨げになる。
この用語の分野: イオン注入
解説の中の「過渡増速拡散(TED)」
格子間シリコンが表面などで消えると収まるため「過渡」増速拡散(TED)と呼ばれ、比較的低温で長く加熱するほど影響が大きくなります。
イオン注入後のアニールの初期に、注入で生じた格子間シリコンの影響で、ボロンなどの拡散が一時的に速くなる現象を何と呼ぶか。ボロンは格子間シリコンの助けを借りて拡散が増速されます(過渡増速拡散)。
浅いp型接合をつくる際に、ボロンと一緒に炭素などを注入する(共注入する)主な目的はどれか。アニールで大部分は再結合して回復しますが、残った格子間シリコンが過渡増速拡散やEOR欠陥の原因になります。
注入されたイオンがシリコンの原子をはじき飛ばしたときに結晶中にできる、空孔と格子間原子の組を何と呼ぶか。
「過渡増速拡散(TED)」が出てくる問題(3問)
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