先進技術(3D構裝與小晶片)

在HBM中,單一堆疊內可堆疊的DRAM晶粒數,一般為下列何者?

  1. A1片
  2. B2片
  3. C約8~16片
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正確答案:C. 約8~16片

HBM是將以TSV連接的DRAM晶粒堆疊8片、12片,甚至16片,並與最下方的基底晶粒(邏輯晶粒)組合成一個堆疊。由於堆疊高度由規格決定,要增加堆疊數就必須將晶粒薄化到約30 µm,接合層也要變薄,熱的對策同樣不可或缺。1片或2片無法發揮堆疊的優點。

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