先進技術（3D構裝與小晶片）
下列關於HBM（High Bandwidth Memory，高頻寬記憶體）的說明，何者正確？
- A只使用一層快閃記憶體的低速記憶體
- B內建於CPU晶片內的SRAM快取
- C將多個DRAM晶粒以TSV堆疊，並以非常寬的匯流排寬度獲得高頻寬的記憶體
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正確答案：C. 將多個DRAM晶粒以TSV堆疊，並以非常寬的匯流排寬度獲得高頻寬的記憶體
HBM是將多個DRAM晶粒以TSV堆疊，並以1,024條這種非常寬的資料匯流排與處理器連接，藉此實現高資料傳輸頻寬的記憶體。例如HBM3每條為6.4 Gb/s，單一堆疊約為819 GB/s。它用於與處理器並排配置在矽中介層等之上的2.5D封裝，並搭載於AI用GPU等產品。它與快閃記憶體或SRAM快取是不同的東西。