DDR、LPDDR、GDDR、HBM 的差異:DRAM 的種類比較
這四種在種類上都是 DRAM,但各自針對不同目的進行了最佳化。DDR 是個人電腦與伺服器的標準主記憶體。LPDDR 是為智慧型手機與輕薄筆記型電腦而壓低耗電的版本。GDDR 是為顯示卡而提高每個腳位速度的版本。HBM 則將晶片堆疊起來,擁有非常寬的匯流排,可為 AI 加速器提供最高的頻寬,但成本也最高。
| 項目 | DDR | LPDDR | GDDR | HBM |
|---|---|---|---|---|
| 正式名稱 | Double Data Rate SDRAM | Low Power DDR | Graphics DDR | High Bandwidth Memory |
| 主要對象 | 個人電腦、伺服器 | 智慧型手機、平板電腦、輕薄筆記型電腦 | 顯示卡、遊戲機 | AI 加速器、高效能運算 |
| 資料匯流排 | DIMM 每通道 64 位元(DDR5 分成各 32 位元的 2 個) | 窄通道(16 位元或 32 位元) | 每顆晶片 32 位元。在 GPU 周圍放置多顆晶片 | 每個堆疊 1,024 位元(HBM3)。非常寬 |
| 每個腳位的速度 | 中等(DDR5 約 4,800~8,000 MT/s) | 中等至偏高(LPDDR5X 為 8,533 MT/s 以上) | 非常高(GDDR6X 超過 20 Gb/s,GDDR7 約 30 Gb/s) | 每個腳位偏低。因為匯流排非常寬 |
| 頻寬 | 每通道數十 GB/s | 每個元件或每個封裝數十 GB/s | 每顆晶片數十~100 GB/s,每張卡數百 GB/s~超過 1 TB/s | 每個堆疊數百 GB/s,每個加速器數 TB/s |
| 耗電量 | 中等 | 每位元最小。具備低電壓與深度省電模式 | 大 | 每位元的效率佳,但堆疊的晶片不易散熱 |
| 封裝 | 插入插槽的記憶體模組(DIMM),或直接焊接 | 焊接,或堆疊在處理器的封裝上方(PoP) | 焊接在顯示卡電路板上 GPU 的周圍 | 以 TSV 連接的堆疊晶片,放在矽中介層上處理器的旁邊 |
| 容量 | 最大。每個模組數 GB 至數百 GB | 數 GB~數十 GB | 每顆晶片數 GB | 每個堆疊數十 GB |
| 之後能否增設 | 可以(DIMM 插槽) | 不行 | 不行 | 不行 |
| 每位元的成本 | 最便宜 | 比 DDR 高 | 比 DDR 高 | 最高。因為堆疊與先進封裝 |
數值為具代表性的大致參考值,會因世代或產品而異。