下列關於MEMS製造所用的Deep RIE（Bosch製程）的敘述，何者正確？

正確答案：B. 交替重複蝕刻與側壁保護膜的沉積，加工出深且垂直的孔或溝槽

Bosch製程每隔數秒就交替重複以SF6電漿蝕刻矽，以及以C4F8沉積保護膜。側壁受保護膜保護，只有底面的膜被離子移除而持續向下挖掘，因此能做出深寬比20以上的深且垂直的結構。側壁上會留下週期性的細小凹凸（扇貝紋）。由德國Bosch公司於1990年代開發，用於MEMS與TSV的加工。