下列關於TSV（矽穿孔）的說明，何者正確？

正確答案：B. 沿厚度方向貫穿矽基板的電極，用來將堆疊的晶片上下相連

TSV（Through-Silicon Via）是在矽基板上鑽出直徑數µm～十幾µm的孔並填入導體，使基板的正面與背面電性相通的電極。由於可將晶片堆疊，並以比打線接合更短的距離建立數千條以上的連接，因此用於3D封裝、HBM與矽中介層。僅在表面的橫向配線是一般的多層配線，焊錫球則是外部端子。