什麼是CMP(化學機械研磨)
化學機械研磨。結合研磨液的化學作用與研磨墊的機械研磨，使晶圓表面平坦化。
日文名稱: CMP
「CMP(化學機械研磨)」出現在2領域的5道練習題中（矽晶圓, 氧化與擴散等）。
這個名詞所屬的領域: CMP與清洗
練習CMP(化學機械研磨)的題目
矽晶圓的鏡面拋光(以CMP進行的精拋光)中，拋光液的磨粒一般使用哪一種？
- A鐵粉
- B膠態二氧化矽(二氧化矽微粒)
- C大顆粒的鑽石
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正確答案：B. 膠態二氧化矽(二氧化矽微粒)
晶圓的精拋光使用將數十nm左右的二氧化矽微粒分散於鹼性溶液中的膠態二氧化矽。鹼會把矽表面化學性地變成較軟的層，再由微粒以機械方式刮除，藉由這種化學與機械作用的結合，做成沒有損傷、表面粗糙度約0.1 nm的鏡面。因為粒子柔軟，不會在矽上造成深的刮傷，也能避免金屬汙染。
解析中的「CMP(化學機械研磨)」
表面以CMP精修，並以數nm為單位調整厚度。
下列關於SOI晶圓代表性製造方法的敘述，哪一項是正確的？排列方形晶片時外周會有數%的浪費，但由於晶體的製造方式，以及旋轉塗佈與CMP等適合圓形的製程，因此採用這種形狀。
矽晶圓之所以是圓形，其主要原因下列哪一項是正確的？即使和緩到在曝光的焦點範圍內不成問題，以CMP平坦化薄膜時，拋光墊無法完全貼合這種起伏，會成為膜厚因位置而不均的原因。
晶圓表面上，波長約數mm、高度約數十nm的非常和緩的凹凸，稱為什麼？現今微細的 LSI 主要採用 STI：在矽中挖出深度約 200～300 nm 的淺溝槽，填入 CVD 氧化層，再以 CMP 平坦化。
微細的 LSI 主要採用下列何種方法進行元件隔離？
出現「CMP(化學機械研磨)」的題目（5題）
相關名詞
SOI晶圓 熱氧化 CZ法(柴可拉斯基法) 旋轉塗佈 STI(淺溝槽隔離) CVD(化學氣相沉積) LOCOS(局部矽氧化隔離) FinFET(鰭式場效電晶體) 兆聲波清洗 研磨液