在依TSV形成時機的分類中，於形成電晶體之後、形成多層配線之前製作TSV的方式是下列何者？

正確答案：B. 中導孔（via-middle）

TSV依形成時機分為：在電晶體之前製作的先導孔、在電晶體形成之後且多層配線之前製作的中導孔，以及在配線形成後或晶圓薄化後從背面製作的後導孔。中導孔既能讓銅TSV避開電晶體約1000 ℃的高溫步驟，又容易與配線連接，因此被廣泛使用。

• A. 先導孔是在電晶體之前形成。
• B. 正確。在電晶體與配線之間的時機形成。
• C. 後導孔是在配線形成後或薄化後形成。