關於3D DRAM與HBM的差異，下列何者正確？

正確答案：A. 3D DRAM是在單一晶片內把記憶單元本身垂直堆疊的技術，HBM則是以TSV堆疊完成的DRAM晶片

HBM是把多顆完成的DRAM晶片以TSV連接並堆疊，放在處理器附近以取得高頻寬的記憶體，屬於晶片的堆疊。3D DRAM則像3D NAND一樣，在單一晶片內把記憶單元的層垂直堆疊，不只依賴平面微縮來增加容量。截至2020年代中期，3D DRAM仍處於研究開發階段。

• A. 正確。差別在於堆疊的是單元還是晶片。
• B. 兩者堆疊的對象不同，是不同的技術。
• C. 說明顛倒了，HBM是晶片的堆疊。