先進技術（3D構裝與小晶片）
在TSV周圍設置不配置電晶體的區域（禁置區，keep-out zone）的主要理由是下列何者？
- A因為TSV會發光
- B因為銅與矽的熱膨脹係數差異所造成的應力，會改變附近電晶體的特性
- C因為TSV周圍無法曝光
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正確答案：B. 因為銅與矽的熱膨脹係數差異所造成的應力，會改變附近電晶體的特性
銅的熱膨脹係數約為17×10⁻⁶ /K，是矽的約2.6×10⁻⁶ /K的6倍以上，因此製造時的溫度變化會讓TSV周圍的矽殘留應力。應力會改變載子的遷移率，使附近電晶體的電流等特性產生偏移。因此在TSV周圍設置數µm左右的禁置區，不放置容易受影響的元件。
- A. TSV不會發光。
- B. 正確。熱膨脹差異造成的應力會改變特性。
- C. TSV周圍也是可以曝光的。