先進技術（3D構裝與小晶片） 下列關於TSV一般形成步驟的敘述，何者正確？ A透過導線來連接 B只要注入焊錫即可形成 C以深蝕刻鑽孔，形成絕緣膜與阻障層後，再以銅等填入 查看答案與解析 正確答案：C. 以深蝕刻鑽孔，形成絕緣膜與阻障層後，再以銅等填入 TSV是以交替重複蝕刻與保護膜沉積的Bosch製程等深蝕刻，在矽上鑽出深寬比約10的孔，在內面形成絕緣膜、阻障層與種子層後，再以電鍍填入銅等而成。之後從背面將晶圓研磨變薄，使TSV的前端露出。要將深孔底部無空隙地填滿是困難的步驟。