先進技術(3D構裝與小晶片)
為了堆疊形成了TSV的晶片,將晶圓從背面研磨變薄,其厚度的參考值下列何者正確?
- A數十µm左右
- B數mm左右
- C數cm左右
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正確答案:A. 數十µm左右
以TSV堆疊的晶片,為了壓低孔的深度並縮小堆疊後的整體厚度,會薄化到數十µm左右。原本的晶圓約775 µm,因此會變成十分之一以下。薄晶圓容易破裂與翹曲,因此會使用暫時貼附在支撐基板上加工的技術等。數mm或數cm比晶圓還厚,堆疊就沒有意義了。
先進技術(3D構裝與小晶片)
正確答案:A. 數十µm左右
以TSV堆疊的晶片,為了壓低孔的深度並縮小堆疊後的整體厚度,會薄化到數十µm左右。原本的晶圓約775 µm,因此會變成十分之一以下。薄晶圓容易破裂與翹曲,因此會使用暫時貼附在支撐基板上加工的技術等。數mm或數cm比晶圓還厚,堆疊就沒有意義了。