先進電晶體（FinFET與GAA）

將電晶體的層依序堆疊在晶圓上製作、而非靠貼合晶片的三維整合方式是哪一個？

  1. A2.5D 封裝
  2. B單晶 3D 整合（循序 3D 整合）
  3. CSiP
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正確答案：B. 單晶 3D 整合（循序 3D 整合）

在單晶 3D 整合中，製作完第一層電晶體後，在其上形成新的半導體層或將其薄薄貼合，再製作第二層電晶體。層間可以用導孔（via）的大小（數十 nm）連接，比以 TSV 堆疊晶片的連接密度高出一萬倍以上。不過，為了避免製作上層時的熱損傷下層或配線，需要約 500 ℃ 以下的低溫製程。CFET 也屬於這種方式。

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