先進電晶體（FinFET與GAA）
在 FinFET 的源極、汲極中，於鰭片上以磊晶成長使晶體隆起的主要目的為何？
- A為了使電晶體發光
- B為了增長閘極長度
- C為了降低寄生電阻，並對通道施加應變
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正確答案：C. 為了降低寄生電阻，並對通道施加應變
鰭片只有數 nm 寬，若維持原狀，源極、汲極的電阻會很大，接觸的面積也很小。以磊晶成長使晶體隆起成菱形後，截面積增加，可降低電阻並容易取得接觸。pMOS 使用含大量 Ge 的 SiGe，nMOS 使用含高濃度磷的 SiP 等，也具有利用晶格常數差異對通道施加應變、提高遷移率的作用。