什麼是疊差
晶體原子面的堆疊順序發生紊亂的面狀缺陷。也稱為堆疊錯誤(Stacking fault)。在磊晶層、熱氧化(OSF)、SiC晶體等會成為問題。
日文名稱: 積層欠陥
「疊差」出現在2領域的4道練習題中（氧化與擴散, 矽晶圓等）。
這個名詞所屬的領域: 磊晶成長
練習疊差的題目
為了能用光學顯微鏡觀察矽晶體中的差排或疊差等，選擇性地淺蝕缺陷部分的方法是哪一種？
- A反應性離子蝕刻
- B選擇性蝕刻(Secco蝕刻等)
- C犧牲層蝕刻
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正確答案：B. 選擇性蝕刻(Secco蝕刻等)
選擇性蝕刻使用的藥液(鉻酸系的Secco液、Wright液、不含鉻的藥液等)，會使缺陷周圍的應變部分比周圍蝕刻得更快，讓缺陷以蝕坑(凹陷)的形式浮現出來。由蝕坑的形狀評估缺陷的種類，由數量評估密度。這是晶體品質管理的基本手法，但屬於破壞性檢查，也正推動改用對環境負荷較小的藥液。
解析中的「疊差」
結果可減少可動離子造成的臨界電壓變動，並提升氧化層的介電崩潰耐壓等可靠度，同時也有減少氧化誘生疊差缺陷的效果。
熱氧化時添加少量氯化氫（HCl）等含氯氣體，其主要目的為何？這些間隙矽以金屬汙染或氧析出物等為核聚集，成長為 {111} 面的疊差缺陷，就是氧化誘生疊差缺陷（OSF），若橫跨接面會造成漏電流。
熱氧化時，因氧化而產生的過量間隙矽被注入矽中而成長的缺陷是哪一個？這可以抑制熱造成的雜質擴散與氧化誘生疊差缺陷等缺陷的產生，一直被用於需要厚氧化層的功率元件等。
在高壓的氧化氣氛下進行熱氧化的優點，下列何者正確？