什麼是GaN(氮化鎵)
能隙約 3.4 eV 的 III-V 族化合物半導體。用於藍光 LED 與高頻、功率元件。
日文名稱: GaN(窒化ガリウム)
這個名詞所屬的領域: 化合物半導體
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二維電子氣(2DEG) 直接能隙 效率下垂 混晶半導體 量子井 維加德定律 寬能隙半導體 纖鋅礦結構 Ga2O3(氧化鎵) GaAs(砷化鎵)
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