什麼是熱擴散
在高溫下使雜質原子擴散進半導體內以進行摻雜的方法。雜質會由高濃度處向低濃度處擴散。
日文名稱: 熱拡散
「熱擴散」出現在1領域的3道練習題中（氧化與擴散等）。
這個名詞所屬的領域: 氧化與擴散
練習熱擴散的題目
在熱擴散中，於表面導入一定量雜質的步驟之後，將雜質推入更深處的步驟稱為什麼？
- A預沉積
- B磊晶
- C驅入（推進擴散）
在熱擴散中，表面雜質濃度維持固定的擴散（定表面濃度擴散）與擴散固定量雜質的情況（有限量擴散），兩者分布形狀的組合，下列何者正確？
- A定表面濃度：互補誤差函數（erfc）分布，有限量：高斯分布
- B兩者皆為直線狀分布
- C定表面濃度：高斯分布，有限量：互補誤差函數分布
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正確答案：A. 定表面濃度：互補誤差函數（erfc）分布，有限量：高斯分布
在維持表面濃度固定的預沉積中，分布呈互補誤差函數（erfc）形狀，且導入量會隨時間增加。在將已導入的固定量雜質推入的驅入中，總量保持不變而擴散開來，表面濃度下降，形成高斯分布的形狀。將這兩者組合，就能分別調整表面濃度與接面深度。實際的高濃度擴散，則會偏離這些理想形狀。
解析中的「熱擴散」
熱擴散多分為兩個階段：先以預沉積在維持表面濃度固定的情況下，於淺層導入既定量的雜質；再以驅入停止供應並加熱，使該雜質量維持不變地擴散到內部，形成既定的深度與分布。
在熱擴散中，於表面導入一定量雜質的步驟之後，將雜質推入更深處的步驟稱為什麼？
出現「熱擴散」的題目（3題）
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