SiCのエピタキシャル成長で、表面の原子ステップがいくつも集まって大きな段差になり、表面が荒れる現象を何と呼ぶか。

正解：B. ステップバンチング

オフ角をつけた基板ではステップに沿って結晶が成長しますが、条件によっては複数のステップが集まって高さの大きな段差になります。これをステップバンチングといい、表面の凹凸がMOS界面の特性を悪くするため、成長条件や表面処理で抑えます。

• A. ディッシングはCMPで配線の中央がへこむ現象です。
• B. 正しい。ステップが集まって大きな段差になる現象です。
• C. ネッキングは単結晶の引き上げで結晶を細く絞る工程です。