エピタキシャル成長
SiCパワーデバイスの製造でエピタキシャル層が重要な理由として正しいものはどれか。
- A耐圧を受け持つドリフト層を、低い不純物濃度と必要な厚さで精密に形成するため
- Bウエハを透明にするため
- C配線の抵抗を下げるため
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正解：A. 耐圧を受け持つドリフト層を、低い不純物濃度と必要な厚さで精密に形成するため
SiCでは不純物の熱拡散がほとんど起こらないため、デバイスの主要な層はエピタキシャル成長で形成します。耐圧を決めるドリフト層の不純物濃度と厚さを精密に制御する必要があり、エピ層の結晶欠陥を減らすことも歩留まりや信頼性の面で重要です。