GaAs(ガリウムヒ素)とは
がりうむひそ
ガリウムとヒ素からなるIII-V族の化合物半導体。直接遷移型でバンドギャップは約1.42 eV。電子移動度が高く、高周波のトランジスタや赤外のLED、レーザーに使われる。
この用語の分野: 化合物半導体
解説の中の「GaAs(ガリウムヒ素)」
GaAsは伝導帯の底と価電子帯の頂上が運動量空間で同じ位置にある直接遷移型で、フォノンの助けなしに電子と正孔が再結合して効率よく光を出します。
ガリウムヒ素(GaAs)のバンド構造として正しいものはどれか。GaAsの電子移動度は約8500 cm²/V·sとSiの約6倍で、有効質量も小さいため、高い周波数でも動作しやすく、携帯電話のパワーアンプやスイッチ、衛星放送の受信機などに使われてきました。
GaAsが携帯電話の高周波増幅器などに使われてきた主な理由として最も適切なものはどれか。GaAs系のLEDはテレビのリモコンや光電センサ、GaAs/AlGaAsのVCSELは850 nm付近でスマートフォンの顔認証や短距離の光通信に使われます。
バンドギャップ約1.42 eVのGaAsから出る光のおよその波長はどれか。
「GaAs(ガリウムヒ素)」が出てくる問題(38問)
- ガリウムヒ素(GaAs)のバンド構造として正しいものはどれか。
- GaAsが携帯電話の高周波増幅器などに使われてきた主な理由として最も適切なものはどれか。
- バンドギャップ約1.42 eVのGaAsから出る光のおよその波長はどれか。
- GaAsなどの化合物半導体ウエハの一般的な口径について正しいものはどれか。
- GaAsウエハの加工くずや廃棄物の取り扱いで注意が必要な理由として正しいものはどれか。
- InPやGaAsを使ったHBT(ヘテロ接合バイポーラトランジスタ)が用いられる用途の例として正しいものはどれか。
- GaAsにシリコンを添加してn型にするとき、シリコンが主に置き換わる位置はどれか。
- GaAsの高周波ICで、半絶縁性のGaAs基板が使われる利点として正しいものはどれか。
- シリコンと比べたときのGaAsの熱伝導率として正しいものはどれか。
- ガリウムヒ素(GaAs)を構成する元素の組み合わせとして正しいものはどれか。
- GaAsの高周波トランジスタとして使われてきたMESFETのゲートの構造として正しいものはどれか。
- GaAsでシリコンのようなCMOS回路をつくることが難しい理由の一つとして正しいものはどれか。
- GaAsなどの基板の上に、トランジスタとともにインダクタやコンデンサなどの受動素子を集積した高周波用ICを何と呼ぶか。
- GaAsに強い電界を加えると、電子が移動度の低い別の谷(バレー)に移り、電界を上げても電流が減る負性微分抵抗が現れる。これを利用した発振素子はどれか。
- GaAsのような極性をもつ化合物半導体を、無極性のシリコン基板の上に成長させるときに生じやすい、結晶の中でGaとAsの並びが反転した領域の境界を何と呼ぶか。
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GaN(窒化ガリウム) 移動度 バンドギャップ InP(リン化インジウム) SiC(炭化ケイ素) HEMT(高電子移動度トランジスタ) 間接遷移型 有効質量 量子井戸 2次元電子ガス(2DEG)