SiC MOSFETやIGBTの駆動で、オフ時にゲートに負の電圧(例えば −3〜−5 V)を加えることがある主な理由はどれか。

正解：B. 反対側のスイッチの動作による電圧変化で、ゲート電圧が持ち上がって誤ってオンするのを防ぐため

ブリッジ回路では、反対側のスイッチがオンしたときの急な電圧変化(dv/dt)が、ミラー容量を通してオフ中のデバイスのゲート電圧を持ち上げることがあります。しきい値電圧を超えると誤ってオンし、上下短絡を起こすおそれがあるため、オフ時に負のゲート電圧を加えて余裕を確保します。

• A. スイッチング周波数を上げるためのものではありません。
• B. 正しい。誤オン(セルフターンオン)を防ぐためです。
• C. オン抵抗は正のゲート電圧で決まり、負バイアスでは下がりません。