SiC(炭化ケイ素)란?

たんかけいそ

バンドギャップ約3.3 eVのワイドギャップ半導体。絶縁破壊電界が高く、高耐圧・低損失のパワーデバイスに使われる。

일본어 명칭: SiC(炭化ケイ素)

SiC(炭化ケイ素)은(는) 화합물 반도체 등 1개 분야의 연습 문제 8개에 나와요.

분야: 전력 반도체

도전해 보기: SiC(炭化ケイ素) 관련 문제

GaN HEMT의 기판으로 SiC가 사용되는 주된 이유 중 하나는?

A실리콘보다 저렴하기 때문
B빛을 통과시키지 않기 때문
C열전도율이 높아 디바이스의 열을 방출하기 쉽기 때문

정답과 해설 보기

정답: C. 열전도율이 높아 디바이스의 열을 방출하기 쉽기 때문

고출력 GaN HEMT는 게이트 부근에 열이 집중되며, 온도가 오르면 성능과 수명이 저하됩니다. SiC는 열전도율이 약 400 W/(m·K)로 Si(약 150)나 사파이어(약 35)보다 높고, GaN과의 격자 부정합도 약 3.5%로 비교적 작아 기지국이나 레이더용 고주파·고출력 GaN HEMT의 기판으로 사용됩니다(GaN-on-SiC). 비용을 중시하는 파워 용도에서는 Si 기판이 사용됩니다.

해설 속 SiC(炭化ケイ素)

SiC는 열전도율이 약 400 W/(m·K)로 Si(약 150)나 사파이어(약 35)보다 높고, GaN과의 격자 부정합도 약 3.5%로 비교적 작아 기지국이나 레이더용 고주파·고출력 GaN HEMT의 기판으로 사용됩니다(GaN-on-SiC).
GaN HEMT의 기판으로 SiC가 사용되는 주된 이유 중 하나는?
SiC는 IV족끼리(IV-IV족)이고, ZnSe는 II족인 아연과 VI족인 셀레늄으로 이루어진 II-VI족이며, CdTe(태양전지)와 ZnO(투명 전극) 등도 II-VI족입니다.
III-V족 화합물 반도체로 분류되는 것은?
LED에서는 저렴하고 투명한 사파이어, 고주파 디바이스에서는 열전도가 좋은 SiC, 파워 디바이스에서는 대구경이면서 저렴한 Si가 자주 사용됩니다.
GaN 디바이스에서 GaN층을 성장시키는 기판으로 일반적으로 사용되는 것은?
Ga2O3는 밴드갭이 약 4.5~4.9 eV로 SiC나 GaN보다 크고, 절연 파괴 전계는 약 8 MV/cm로 예상되어 더 높은 내압과 낮은 손실이 기대되는 재료입니다.
차세대 파워 반도체 재료로 연구가 진행 중인 산화갈륨(Ga2O3)의 특징으로 올바른 것은?
GaN-on-Si나 SiC에서는 200 mm화가 진행되고 있습니다.
GaAs 등 화합물 반도체 웨이퍼의 일반적인 직경에 대해 올바른 것은?

SiC(炭化ケイ素)이(가) 나오는 문제 (8)

이 용어가 포함된 비교

SiC와 GaN 전력 소자의 핵심 차이SiC와 GaN 전력 반도체를 표로 비교합니다. 밴드갭, 열전도율, 소자 유형, 전압 범위, 스위칭 주파수, 웨이퍼, 비용, 용도를 다룹니다.