バンドギャップとは

ばんどぎゃっぷ

価電子帯の上端と伝導帯の下端とのエネルギー差。シリコンは室温で約1.12 eV。大きいほど高温・高電圧に強い。

この用語の分野: 半導体物性

解説の中の「バンドギャップ」

「バンドギャップ」が出てくる問題(50問)

  1. 室温におけるシリコン(Si)のバンドギャップに最も近い値はどれか。
  2. シリコン中のリンがつくるドナー準位の、バンドギャップ内での位置として正しいものはどれか。
  3. 室温におけるゲルマニウム(Ge)のバンドギャップに最も近い値はどれか。
  4. 次の材料のうち、バンドギャップが最も大きいものはどれか。
  5. シリコンのバンドギャップは、温度が上がるとどうなるか。
  6. シリコンの真性フェルミ準位が、バンドギャップのちょうど中央からわずかにずれる理由として正しいものはどれか。
  7. SiCやGaNのように、シリコンよりバンドギャップが大きい半導体の総称はどれか。
  8. バンドギャップ約1.42 eVのGaAsから出る光のおよその波長はどれか。
  9. バンドギャップの異なる複数の化合物半導体層を積み重ねた多接合太陽電池の特徴として正しいものはどれか。
  10. 組成を変えることでバンドギャップを調整でき、中赤外から長波長赤外の高性能な赤外線検出器に使われてきた材料はどれか。
  11. 真性半導体の温度を上げたとき、真性キャリア密度はどうなるか。
  12. 真性半導体の抵抗率の温度依存性として正しいものはどれか。
  13. シリコンが吸収できる光として正しいものはどれか。
  14. ホール効果の測定から分かることとして正しいものはどれか。
  15. 不純物濃度が非常に高く、フェルミ準位が伝導帯や価電子帯の中に入り込んだ半導体を何と呼ぶか。

関連する用語

GaN(窒化ガリウム) GaAs(ガリウムヒ素) SiC(炭化ケイ素) 移動度 HBT(ヘテロ接合バイポーラトランジスタ) SiGe(シリコンゲルマニウム) InP(リン化インジウム) フォトダイオード HEMT(高電子移動度トランジスタ) フェルミ準位

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