Ga2O3(酸化ガリウム)とは
さんかがりうむ
バンドギャップが約4.5〜4.9 eVと、SiCやGaNよりさらに大きい酸化物半導体。融液から結晶を育てられ、次世代のパワー半導体材料として研究が進んでいる。
この用語の分野: 化合物半導体
解説の中の「Ga2O3(酸化ガリウム)」
Ga2O3はバンドギャップが約4.5〜4.9 eVとSiCやGaNより大きく、絶縁破壊電界は約8 MV/cmと見込まれ、さらに高い耐圧や低損失が期待される材料です。
次世代パワー半導体材料として研究が進む酸化ガリウム(Ga2O3)の特徴として正しいものはどれか。さらに大きいGa2O3(約4.8 eV)やダイヤモンド(約5.5 eV)は、ウルトラワイドバンドギャップ半導体と呼ばれます。
SiCやGaNのように、シリコンよりバンドギャップが大きい半導体の総称はどれか。さらにEcの大きいGa2O3やダイヤモンドが次世代材料として期待される理由です。
ユニポーラ型のパワーデバイス材料の性能を比べる「バリガ性能指数」で、特に大きく効く材料の物性値はどれか。
「Ga2O3(酸化ガリウム)」が出てくる問題(3問)
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