GaN HEMTの基板としてSiCが使われる主な理由の一つはどれか。

正解：C. 熱伝導率が高く、デバイスの熱を逃がしやすいため

高出力のGaN HEMTは発熱が大きく、温度が上がると性能や信頼性が低下します。SiCは熱伝導率が高く、GaNとの格子不整合も比較的小さいため、高周波・高出力用のGaN HEMTの基板として使われています。コストを重視する用途ではSi基板も使われます。