パワー半導体

SiC MOSFETのボディダイオードに電流を流し続けると、特性が劣化することがある原因として知られているものはどれか。

  1. A結晶中の基底面転位が、積層欠陥に拡大すること
  2. Bゲート電極が溶けること
  3. Cパッケージが発光すること
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正解:A. 結晶中の基底面転位が、積層欠陥に拡大すること

SiCのボディダイオードに順方向電流を流すと、電子と正孔の再結合のエネルギーによって、結晶中の基底面転位が積層欠陥に拡大し、オン電圧が上がることがあります(バイポーラ劣化)。エピ層の改良や、ボディダイオードに電流を流さない回路の工夫などで対策します。

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