ワイドバンドギャップ半導体とは
わいどばんどぎゃっぷはんどうたい
シリコンよりバンドギャップが大きい半導体。SiCやGaNなど。絶縁破壊電界が高く、高電圧・高温での動作に強い。
この用語の分野: 化合物半導体
わいどばんどぎゃっぷはんどうたい
シリコンよりバンドギャップが大きい半導体。SiCやGaNなど。絶縁破壊電界が高く、高電圧・高温での動作に強い。
この用語の分野: 化合物半導体
バンドギャップがおおむね3 eV前後以上の半導体をワイドバンドギャップ半導体と呼び、SiC(約3.3 eV)やGaN(約3.4 eV)が代表です。
SiCやGaNのように、シリコンよりバンドギャップが大きい半導体の総称はどれか。SiC(炭化ケイ素) GaN(窒化ガリウム) バンドギャップ Ga2O3(酸化ガリウム) ウルツ鉱型構造 MMIC GaAs(ガリウムヒ素) 効率ドループ 混晶半導体 III-V族化合物半導体