4H-SiCとは
よんえっちえすあいしー
SiCの結晶多形の一つで、パワーデバイスに主に使われるもの。バンドギャップが約3.3 eVと大きく、電子の移動度も比較的高い。
この用語の分野: エピタキシャル成長
解説の中の「4H-SiC」
4°程度のオフ角をつけた基板では表面に原子ステップが多数あり、原料はステップに取り込まれて横方向に成長が進むため(ステップフロー成長)、基板と同じ4H-SiCの積み重なり方を引き継いだ結晶が得られます。
SiCのエピタキシャル成長で、結晶軸から数度傾けた(オフ角をつけた)基板を使う主な理由はどれか。SiCには200種類以上の結晶多形がありますが、パワーデバイスには4H-SiCが主に使われます。
SiCパワーデバイスに主に使われている結晶多形(ポリタイプ)はどれか。
「4H-SiC」が出てくる問題(2問)
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