パワー半導体

SiC MOSFETの課題の一つとして知られているものはどれか。

  1. Aシリコンより耐圧が低い
  2. Bバンドギャップがシリコンより小さい
  3. CSiCとゲート酸化膜の界面に欠陥が多く、チャネル移動度が低くなりやすい
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正解：C. SiCとゲート酸化膜の界面に欠陥が多く、チャネル移動度が低くなりやすい

SiCも熱酸化でSiO2をつくれますが、界面に炭素に関係する欠陥などが多く残りやすく、チャネルの移動度がSiCの結晶内部の移動度よりかなり低くなります。界面の窒化処理などで改善が進められてきました。ゲート酸化膜の長期信頼性も重要な評価項目です。

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