パワー半導体

SiCやGaNのパワーデバイスで高速にスイッチングするときに、特に対策が重要になる問題はどれか。

  1. A電圧や電流の急激な変化によるノイズ(EMI)やサージ電圧
  2. Bデバイスが発光してしまうこと
  3. Cスイッチングが遅くなりすぎること
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正解：A. 電圧や電流の急激な変化によるノイズ(EMI)やサージ電圧

高速スイッチングでは電圧や電流が非常に急激に変化するため、配線の寄生インダクタンスによるサージ電圧や、電磁ノイズ(EMI)が大きくなりやすくなります。配線を短くして寄生インダクタンスを減らす、ゲート駆動を調整するなどの対策が必要です。

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