パワー半導体

SiC(炭化ケイ素)がSiに比べて高耐圧パワーデバイスに有利な主な理由はどれか。

  1. A絶縁破壊電界がSiの約10倍と高いため
  2. BバンドギャップがSiより小さいため
  3. CウエハがSiより安価で大口径化しやすいため
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正解：A. 絶縁破壊電界がSiの約10倍と高いため

SiCはバンドギャップが約3.3 eVと大きく、絶縁破壊電界がSiの約10倍あります。同じ耐圧なら耐圧を受け持つ層(ドリフト層)を薄く、不純物濃度を高くできるため、オン抵抗を大幅に下げられます。一方、ウエハはSiより高価で、大口径化も途上です。

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