オン抵抗とは

解説の中の「オン抵抗」

• パワーMOSFETでは耐圧を上げるとオン抵抗が急増するため、そのトレードオフを破るスーパージャンクション構造やSiCが使われます。

  MOSFETをスイッチとして使うときの「オン抵抗」の説明として正しいものはどれか。

• MOSFETのオン抵抗は、温度が上がると移動度が下がるため大きくなります(正の温度係数)。

  パワーMOSFETを複数並列に接続して使いやすい理由として、オン抵抗の温度依存性に関する説明で正しいものはどれか。

• 理論上、Siのユニポーラ素子のオン抵抗は耐圧の約2.5乗に比例し、耐圧を2倍にするとオン抵抗は約5.7倍になります(シリコン限界)。

  シリコンのパワーMOSFETにおける耐圧とオン抵抗の関係として正しいものはどれか。

「オン抵抗」が出てくる問題(15問)

1. MOSFETをスイッチとして使うときの「オン抵抗」の説明として正しいものはどれか。
2. パワーMOSFETを複数並列に接続して使いやすい理由として、オン抵抗の温度依存性に関する説明で正しいものはどれか。
3. シリコンのパワーMOSFETにおける耐圧とオン抵抗の関係として正しいものはどれか。
4. 片側の不純物濃度を低くしたPN接合の降伏電圧は、一般にどうなるか。
5. シリコンのバイポーラトランジスタが飽和領域にあるときの、コレクタ-エミッタ間電圧の目安として正しいものはどれか。
6. ドレイン-ソース間電圧VDSが十分小さい線形領域でのMOSFETの振る舞いとして正しいものはどれか。
7. GaN HEMTで電流が流れるチャネルとして正しいものはどれか。
8. スーパージャンクション(SJ)MOSFETの特徴として正しいものはどれか。
9. 電気自動車のインバータにSiCパワーデバイスを使う主な利点はどれか。
10. オン抵抗10 mΩのパワーMOSFETに10 Aの電流が流れているときの導通損失はいくらか。
11. パワーMOSFETで、ゲートをシリコンに掘った溝の中に埋め込むトレンチゲート構造の主な利点はどれか。
12. シリコンのMOSFETとIGBTの一般的な使い分けとして正しいものはどれか。
13. 微細化が進んだトランジスタで、性能を制限する要因として重要性が増しているものはどれか。
14. ヒ素やアンチモンを高濃度に添加した低抵抗のn⁺シリコンウエハの主な用途として正しいものはどれか。
15. SiCパワーデバイスの製造でエピタキシャル層が重要な理由として正しいものはどれか。

関連する用語

パワーMOSFET SiC(炭化ケイ素) IGBT 移動度 GaN(窒化ガリウム) 空乏層 飽和領域 HEMT(高電子移動度トランジスタ) 2次元電子ガス(2DEG) スイッチング損失