真性キャリア密度とは
しんせいきゃりあみつど
不純物を含まない半導体で、熱によって生じる電子と正孔の密度(niと書く)。シリコンでは室温で約1×10¹⁰ cm⁻³で、温度が上がると急激に増える。熱平衡では n × p = ni² が成り立つ。
この用語の分野: 半導体物性
解説の中の「真性キャリア密度」
真性キャリア密度は ni ∝ T^(3/2)·exp(−Eg/2kT) で、シリコンでは室温付近で約10 ℃上がるごとにおよそ2倍になります。
真性半導体の温度を上げたとき、真性キャリア密度はどうなるか。シリコンの真性キャリア密度は室温で約1×10¹⁰ cm⁻³(文献により1.0〜1.5×10¹⁰)です。
室温におけるシリコンの真性キャリア密度に最も近い値はどれか。真性キャリア密度が増えて飽和電流Isが大きくなり、同じ電流を流すのに必要な電圧が小さくなるためです。
一定の電流を流したシリコンダイオードの順方向電圧は、温度が上がるとどうなるか。
「真性キャリア密度」が出てくる問題(5問)
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