CMP란?

しーえむぴー

化学機械研磨。スラリーの化学作用とパッドの機械的研磨を組み合わせてウエハ表面を平坦化する。

일본어 명칭: CMP

CMP은(는) CMP와 세정, 첨단 패키징(3D와 칩렛), IC 설계 흐름과 EDA 등 3개 분야의 연습 문제 29개에 나와요.

분야: CMP와 세정

도전해 보기: CMP 관련 문제

CMP(화학적 기계적 연마)에 대한 설명으로 올바른 것은?

A슬러리의 화학 작용과 패드의 기계적 연마를 결합하여 표면을 평탄화한다
B플라즈마 속 이온으로 표면을 깎아 평탄화한다
C고온에서 표면을 녹여 평탄화한다

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정답: A. 슬러리의 화학 작용과 패드의 기계적 연마를 결합하여 표면을 평탄화한다

CMP는 연마 입자와 약액이 들어 있는 슬러리를 공급하면서 웨이퍼를 회전하는 연마 패드에 눌러 연마합니다. 약액의 화학 반응으로 표면을 무른 층으로 바꾸고, 이를 입자와 패드로 기계적으로 제거하기 때문에 화학 작용만, 또는 기계 작용만으로는 얻을 수 없는 속도와 평탄도를 동시에 확보할 수 있습니다. 1980년대에 IBM에서 개발되었으며, 수십 nm의 단차를 웨이퍼 전면에 걸쳐 해소할 수 있어 다층 배선과 구리 배선 형성에 필수적인 기술입니다.

CMP에서 발생하는 '디싱(dishing)'에 대한 설명으로 올바른 것은?

A연마 패드가 마모되어 평평해지는 현상
B슬러리 입자가 웨이퍼에 달라붙어 남는 현상
C폭이 넓은 배선부의 중앙이 주위보다 과도하게 연마되어 접시 모양으로 움푹 패는 현상

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정답: C. 폭이 넓은 배선부의 중앙이 주위보다 과도하게 연마되어 접시 모양으로 움푹 패는 현상

디싱은 폭이 넓은 금속 배선이나 패드에서 무른 금속의 중앙부가 주변 절연막보다 더 많이 깎여 접시(dish)처럼 움푹 패는 현상이며, 폭이 넓을수록 커집니다. 배선이 얇아져 저항이 증가하거나 위쪽 층에 요철이 남게 됩니다. 배선이 밀집한 영역 전체가 절연막까지 함께 과도하게 깎이는 현상은 에로전(erosion)입니다. 설계 단계에서 배선 폭에 상한을 두거나 굵은 배선을 슬릿으로 분할하여 억제합니다.

해설 속 CMP

CMP는 연마 입자와 약액이 들어 있는 슬러리를 공급하면서 웨이퍼를 회전하는 연마 패드에 눌러 연마합니다.
CMP(화학적 기계적 연마)에 대한 설명으로 올바른 것은?
CMP 소모품 중에서 비용 비중이 큰 편이며, 일본 기업이 강세인 분야이기도 합니다.
CMP에 사용되는 슬러리에 대한 설명으로 올바른 것은?
CMP 후 웨이퍼 표면에는 슬러리의 연마 입자(웨이퍼 1장당 수백만 개 이상 부착되기도 함), 연마 부스러기, 구리 등의 금속 이온, 부식 방지제 유기물이 남아 있습니다.
CMP 후 세정에서 특히 제거해야 하는 것은?
CMP 장비에서는 연마 테이블을 돌리는 모터의 토크(전류)나 정반의 창을 통해 웨이퍼에 조사한 빛의 반사 스펙트럼을 모니터링하여 연마 종점을 실시간으로 검출합니다.
CMP의 연마 종점을 검출하는 방법으로 사용되는 것은?
볼록부일수록 국소 압력이 높아 빨리 깎인다는 점이 CMP로 평탄화가 가능한 이유이기도 합니다.
CMP의 연마 속도를 나타내는 프레스턴 방정식에서 연마 속도에 비례한다고 하는 양은?

CMP란?

도전해 보기: CMP 관련 문제

CMP(화학적 기계적 연마)에 대한 설명으로 올바른 것은?

CMP에서 발생하는 '디싱(dishing)'에 대한 설명으로 올바른 것은?

해설 속 CMP

CMP이(가) 나오는 문제 (29)

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