先進電晶體（FinFET與GAA）
在奈米片型 GAA 電晶體的製造中，從 Si 與 SiGe 交替堆疊的層中選擇性移除僅 SiGe 層的原因，下列何者正確？
- A為了使電晶體變輕
- B為了在移除後的空隙中填入閘極絕緣膜與閘極電極，使閘極包覆 Si 奈米片的整個外圍
- C因為 SiGe 不導電
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正確答案：B. 為了在移除後的空隙中填入閘極絕緣膜與閘極電極，使閘極包覆 Si 奈米片的整個外圍
在奈米片型 GAA 中，加工將 Si 與 SiGe（Ge 約 25～30%）交替磊晶成長而成的堆疊，移除虛設閘極後，以高選擇比只蝕刻 SiGe，使 Si 薄片懸空。接著以 ALD 在其空隙中填入 High-k 膜與金屬閘極，就形成閘極包覆每片薄片上下左右的結構。不傷及薄片而僅移除 SiGe 的選擇性蝕刻是製造的關鍵。