薄膜沉積（CVD與PVD）
以ALD沉積HfO2閘極絕緣膜時所使用的原料組合例，下列何者正確？
- A矽烷與氨
- B六氟化鎢與氫
- C四氯化鉿（HfCl4）或有機鉿化合物，與水或臭氧等氧化劑
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正確答案：C. 四氯化鉿（HfCl4）或有機鉿化合物，與水或臭氧等氧化劑
在HfO2的ALD中，交替供應HfCl4或TEMAHf（有機鉿化合物）等鉿的原料，與H2O或O3等氧化劑，藉表面反應一層一層成膜。HfCl4熱穩定但薄膜中容易殘留氯，成膜溫度約300 ℃上下；TEMAHf雖容易在低溫反應，但容易殘留碳；成膜溫度與雜質會因原料而異，進而影響閘極的臨界電壓與可靠度。
- A. 矽烷與氨是氮化矽膜的原料。
- B. 六氟化鎢與氫是鎢CVD的原料。
- C. 正確。交替供應鉿的原料與氧化劑。