新世代記憶體
近年作為 FeRAM 與鐵電電晶體（FeFET）材料而受到矚目、與 CMOS 製程相容性佳的鐵電材料是下列何者？
- A氧化鉿（HfO2）系
- B氯化鈉
- C聚乙烯
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正確答案：A. 氧化鉿（HfO2）系
氧化鉿一直是 CMOS 中用作 High-k 閘極絕緣膜的材料，2011 年前後有報告指出，添加 Si 或 Zr 而成為特定的結晶相（斜方晶）後，即使厚度只有 10 nm 左右也顯現鐵電性。以往的 PZT 含鉛，變薄後特性下降，難以與 CMOS 整合；相對地，HfO2 系可以用 ALD 沉積出薄而均勻的膜，有望將 FeRAM 與 FeFET 嵌入微細的邏輯電路。