先進電晶體（FinFET與GAA）
用於製作 FinFET 細鰭片，利用側壁間隔物形成比微影極限更細之圖案的技術是哪一個？
- ASADP/SAQP（自對準雙重/四重圖案化）
- BOPC
- CCMP
查看答案與解析
正確答案：A. SADP/SAQP（自對準雙重/四重圖案化）
在 SADP 中，於作為核心的圖案側壁以 ALD 等方式附著均勻的膜以形成間隔物，再移除核心，就能製作出密度為原本兩倍的線條。SAQP 則將此步驟重複兩次，使密度成為四倍。線寬由膜厚而非曝光決定，因此變異小，可形成比 ArF 浸潤式曝光極限（節距約 80 nm）更細的鰭片與配線。即使在 EUV 曝光中，最細的節距也會搭配使用。