以MoS2等二維材料作為通道的電晶體，難以用原子層沉積（ALD）均勻形成high-k閘極絕緣膜的主要原因，下列何者正確？

正確答案：B. 表面幾乎沒有懸鍵，ALD前驅物可以吸附並開始成膜的位置很少

二維材料的層表面沒有懸鍵，因此即使厚度不到1 nm，遷移率也不易下降。但同樣的性質使ALD前驅物難以化學吸附在表面上，膜會從缺陷或晶界等處以島狀成長，難以成為薄而均勻的絕緣膜。使用電漿的方法容易損傷材料，因此正在研究先形成薄種子層等方法。

• A. MoS2等是半導體，不是金屬。
• B. 正確。表面化學惰性是原因。
• C. 表面在原子層級上是平坦的，原因不在粗糙。