薄膜沉積（CVD與PVD）
ALD單一循環所沉積膜厚的大致標準，下列何者正確？
- A約1 µm
- B約0.1 nm（1個原子層左右以下）
- C約100 nm
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正確答案：B. 約0.1 nm（1個原子層左右以下）
在ALD中，單一循環所沉積的約為1個原子層以下，大約0.1 nm上下；若原料分子較大，無法完全覆蓋表面，也可能不足1層。每個循環需要數秒～數十秒，因此即使是數nm的薄膜也需要數十個循環、數分鐘～數十分鐘。為彌補速度，也使用同時處理多片晶圓的批次式，或使晶圓旋轉而通過氣體區域的空間分割型ALD。