DRAM
DRAM電容的介電質膜使用氧化鋯等High-k材料，其原因下列何者正確？
- A即使面積小也能確保所需的電容
- B為了降低佈線的電阻
- C為了讓電容發光
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正確答案：A. 即使面積小也能確保所需的電容
電容的容量為 C = εA/t，與介電常數成正比。即使單元縮小，仍需要約10 fF左右的電容，因此使用介電常數高於SiO2（相對介電常數約3.9）的ZrO2（約25～40）等High-k材料。將ZrO2與Al2O3堆疊的ZAZ結構被廣泛使用，薄膜以ALD均勻地沉積在高深寬比孔洞的內側。不過，介電常數越高的材料，能隙越小、漏電越容易增加，是其課題。