薄膜沉積(CVD與PVD)

關於ALD(原子層沉積)的特徵,下列何者正確?

  1. A一次處理即可高速沉積數µm的薄膜
  2. B重複前驅物的自限性表面反應,可在原子層等級控制膜厚
  3. C是不需要真空的印刷技術
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正確答案:B. 重複前驅物的自限性表面反應,可在原子層等級控制膜厚

ALD重複以下循環:供應原料氣體(前驅物)使其在表面僅吸附一層,以吹淨(purge)移除多餘氣體後,再供應反應氣體使其反應。當表面可反應的位置被填滿後反應即停止(自限性),因此每個循環可精密控制膜厚約0.1 nm,即使在深寬比達數十的深溝槽內也能均勻成膜。代價是成膜速度較慢。

ALD(原子層沉積)的1個循環 供應原料A 於表面自我限制 沖洗 排除多餘的A 供應原料B 與A反應形成一層 沖洗 排除副產物 重複 每循環約0.1 nm;可依循環次數以原子層為單位控制膜厚
ALD(原子層沉積)的1個循環 · 在圖解集中查看
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