蝕刻
關於原子層蝕刻(ALE)的特徵,下列何者正確?
- A單次處理即可高速蝕刻數µm
- B交替重複表面改質與去除,以原子層等級控制蝕刻量
- C是使用藥液的等向性濕式蝕刻
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正確答案:B. 交替重複表面改質與去除,以原子層等級控制蝕刻量
ALE重複進行自我限制性的步驟:先使表面僅一層藉由氯的吸附等方式反應而改質,再以低能量離子等僅將該層去除。由於每個循環蝕除的量固定為約0.1~0.5 nm,因此能以原子層等級精密控制,對表面的損傷也小,圖案疏密所造成的速率差異也較小。可說是ALD的蝕刻版,已開始用於GAA與閘極周邊的加工。